“余總，對于我們的兩臺設備，你還有什么意見，或者想了解的？”一旁的ASML工作人員問道。
“沒什么了……回吧。”
余子賢沒什么看的了，主要確認設備的存在和完好性，再一個就是對應設備技術特性，而余子賢看重的主要兩點:1.5微米的制程、步進式。
在余子賢心里，這兩臺光刻機已經是香積電的了。其他的事情，就交給談判桌上搞定，然后盡可能澀爭取盡可能的利益。
當余子賢參觀完成苔積電庫房的光刻機，向ASML確認了購買意向之后，與ASML的談判重心就從歐洲芬蘭轉移到了灣島新竹。
說到苔積電于ASML合作以及壯大的原因還要數浸入式光刻。
那么什么是浸入式光刻了？
自從摩爾定律被提出，人類的想象力就得到了無限發揮的空間。每一次尺寸縮小就意味著制程上的革新，一幕幕工藝上的改朝換代就這樣不斷上演，浸入式光刻也就此走上了歷史舞臺。
浸入式光刻的原型實驗在上世紀90年代開始陸續出現。1999年，IBM的Hoffnagle使用257nm干涉系統制作出周期為89nm的密集圖形。當時使用的浸入液是環辛烷。但因為當時對浸入液的充入、鏡頭的沾污、光刻膠的穩定性和氣泡的傷害等關鍵問題缺乏了解，人們并未對浸入式光刻展開深入的研究。
2002年以前，業界普遍認為193nm光刻無法延伸到65nm技術節點，而157nm將成為主流技術。然而，157nm光刻技術遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰。這是由于絕大多數材料會強烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉強可以使用。但研磨得到的CaF2鏡頭缺陷率和像差很難控制，并且價格相當昂貴。雪上加霜的是它的使用壽命也極短，頻繁更換鏡頭讓芯片制造業無法容忍。
正當眾多研究者在157nm浸入式光刻面前躊躇不前時，時任TSMC資深處長的林本堅提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波長下水是不透明的液體，但是對于193nm的波長則是幾乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高達1.44，而可見光只有1.33！如果把水這樣一種相當理想的浸入液，配合已經十分成熟的193nm光刻設備，那么設備廠商只需做較小的改進，重點解決與水浸入有關的問題，193nm水浸式光刻機就近在咫尺了。同時，193nm光波在水中的等效波長縮短為134nm，足可超越157nm的極限。193nm浸入式光刻的研究隨即成為光刻界追逐的焦點。
浸入式光刻是指在光刻機投影鏡頭與半導體硅片之間用一種液體充滿，從而獲得更好分辯率及增大鏡頭的數值孔徑，進而實現更小曝光尺寸的一種新型光刻技術。
回到91年的此時，苔積電只是苔積電，ASML只是ASML，兩者都還是各自領域中弟弟。
半導體與集成電路、芯片的概念區別。
一、基本定義、概念與分類 半導體指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。從狹義上來講：微電子工業中的半導體材料主要是指：鍺（Ge）、硅（Si）、砷化鎵（GaAs）。從廣義上來講：半導體材料還包括各種氧化物半導體，有機半導體等。
半導體分類 按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及能進行分類的方法。
芯片與集成電路的聯系和區別 芯片一般是指集成電路的載體，也是集成電路經過設計、制造、封裝、測試后的結果，通常是一個可以立即使用的獨立的整體。
“芯片”和“集成電路”這兩個詞經常混著使用，比如在大家平常討論話題中，集成電路設計和芯片設計說的是一個意思，芯片行業、集成電路行業、IC行業往往也是一個意思。實際上，這兩個詞有聯系，也有區別。
集成電路實體往往要以芯片的形式存在，因為狹義的集成電路，是強調電路本身，比如簡單到只有五個元件連接在一起形成的相移振蕩器，當它還在圖紙上呈現的時候，我們也可以叫它集成電路，當我們要拿這個小集成電路來應用的時候，那它必須以獨立的一塊實物，或者嵌入到更大的集成電路中，依托芯片來發揮他的作用；集成電路更著重電路的設計和布局布線，芯片更強調電路的集成、生產和封裝。而廣義的集成電路，當涉及到行業（區別于其他行業）時，也可以包含芯片相關的各種含義。
芯片也有它獨特的地方，廣義上，只要是使用微細加工手段制造出來的半導體片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有電路。比如半導體光源芯片；比如機械芯片，如MEMS陀螺儀；或者生物芯片如DNA芯片。在通訊與信息技術中，當把范圍局限到硅集成電路時，芯片和集成電路的交集就是在“硅晶片上的電路”上。芯片組，則是一系列相互關聯的芯片組合，它們相互依賴，組合在一起能發揮更大的作用，比如計算機里面的處理器和南北橋芯片組，手機里面的射頻、基帶和電源管理芯片組。
芯片的概念。
將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thinfilm）集成電路。另有一種厚膜（thickfilm）集成電路（hybrid
circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner
Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey
Dummer）、西德尼·達林頓（Sidney
Darlington）、樽井康夫（Yasuo
Ta乳i）都開發了原型，但現代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過世。
先定個小目標，比如1住：
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